[转让] 薄膜太阳能电池及其缓冲层的制备方法

专利类型:发明

合作方式:转让

出售价格: 面议

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摘要

本发明涉及一种薄膜太阳能电池,包括依次叠合的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层和透明导电层,缓冲层包括多层子缓冲层,子缓冲层为Zn<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O,其中0≤x≤t,0.2≤t≤0.4,随光吸收层至透明导电层的方向上,多层子缓冲层的x值在0~t内逐渐减小。上述缓冲层的一侧为ZnO,另一侧为Zn<Sub>1-t</Sub>Mg<Sub>t</Sub>O。Zn<Sub>1-t</Sub>Mg<Sub>t</Sub>O的导带底略高于CIGS吸收层的导带,ZnO的能带与透明导电层的能带完美对接,因此减少了缓冲层与吸收层界面处的载流子复合,提高了开路电压。同时避免了缓冲层的导带底显著高于CIGS吸收层的导带形成较高的电子势垒,进而阻碍电子的运输导致短路电流密度降低的问题,可使薄膜太阳能电池的开路电压与短路电流密度共同提高。本发明还提供了薄膜太阳能电池缓冲层的制备方法。

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